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「蓉矽半导体」SiC场效应管荣获2023中国IC设计成就奖——年度******功率器件

2023-4-16 15:20:59   作者:管理员   来源:

  近日,由全球电子技术领域知名媒体集团AspenCore主办的2023中国IC设计成就奖颁奖典礼在上海进行。维度资本Pre-A轮已投企业「蓉矽半导体」自主设计研发的1200V/75mΩ碳化硅场效应管-NC1M120C75HT荣获“年度******功率器件/宽禁带器件”奖项!
  蓉矽半导体副总裁、研发中心总经理高巍博士接受了IIC Talks专访,阐释蓉矽半导体的核心竞争力、SiC MOSFET的关键突破,分享蓉矽半导体的可靠性保障措施,以及他对特斯拉宣布削减SiC用量原因及市场影响的看法。
      2023年是第21年连续举办IC设计调查及奖项评选,因其秉持公正、客观的评选标准,成为我国半导体产业IC设计领域极具公信力的社会品牌,同时是最具专业性和影响力的技术奖项之一,受到业界的广泛认可。“中国IC设计成就奖”分为IC设计公司奖项、热门IC产品奖项、上游服务供应商奖项和分析师推荐奖项四大类,旨在表彰业内优秀的中国IC设计公司、半导体器件和热门IC产品。蓉矽半导体1200V/75mΩ 碳化硅场效应管-NC1M120C75HT获此殊荣,证明了蓉矽半导体在引领电子设计创新中做出的杰出贡献。
 
 
 
 
  成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年,是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业,拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障,致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC”和高可靠性“DuraSiC”产品系列,涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET;硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR,应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。
  蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证,建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链,严格按照AEC-Q101标准考核验证。在国内率先投资引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统,保障碳化硅晶圆出厂质量与可靠性超越行业最高标准。

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